Spellman High Voltage 반도체 – 이온 이식 및 리소그래피

Spellman High Voltage 반도체 – 이온 이식 및 리소그래피

메모리 저장 장치용 전원 장치

좀더 큰 용량의 메모리 저장 장치의 좀더 폭이 좁은 반도체를 제작하려면 좀더 고도로 제어되고 보다 더 효율적인 고전압 전력 공급원이 필요합니다. Spellman은 이온 빔 에칭, 전자빔 증착법, 그리고 이온 이식과 같은 다수의 진공 프로세스에서 볼 수 있는 심한 아크 발생 조건에서 운용 가능한 최대 400 킬로볼트까지의 전원장치를 설계합니다. 또, 당사 전원장치는 전자빔 리소그래피에 필수적인 낮은 리플 높은 안정성 출력 생성에 필요한 정밀 전기회로망으로 제작됩니다. Spellman의 경험과 우위에 있는 설계로 당사는, 새로이 출현하는 응용제품에 수반된 문제점들을 해결할 수 있는 혁신적 솔루션을 필요로 하는 산업에서 우선적으로 선택하는 업체가 되었습니다. 당사는 고전압 DC 전원장치를 필요로 하는 기술적으로 가장 선진화된 산업계의 신개발품을 뒷받침하는 데 전념하고 있습니다.

(사진 제공 - Veeco Instruments Inc.)